還原氧化石墨烯 (rGO) 薄膜在機械上很脆弱； 因此，將它們無損地轉移到另一個基材上至關重要。 為此，需要一種有助于生成仍粘附在基板上的集成 rGO 薄膜的技術。 據悉，金屬上的rGO薄膜有望用作儲能元件的電極。 這項工作描述了使用電泳沉積 (EPD) 和閃光點火在銅上生成 rGO 薄膜。 簡而言之，使用穩定的氧化石墨烯 (GO) 層水性分散體以固定的沉積電流和持續時間在銅上生成均勻的 GO 薄膜。 為了減少 GO 薄膜而不使其與銅分離，脈沖能量 (1–10 Jcm?2) 在固定曝光時間 (10 ms) 和單個微脈沖下變化。 在 6 Jcm?2 的脈沖能量下，結構研究顯示亂層堆積（層寬減小）和結晶度恢復（D 和 G 帶中峰值硬度的比率增加）。 形態顯示了堆疊的 rGO 層之間的間隙和薄膜中的高粗糙度。 還原形成了具有雜化和高表面積 (373 m2g?1) 的多層 rGO 膜。 由于導電率恢復，rGO 薄膜在 2 mVs-1 的掃描速率下表現出 475.8 Fg-1 的比電容。 接觸角從 ~66° 增加到 ~81° 也否認減少。 EPD 和閃燒相結合，可以在銅上快速、環保地生產無粘合劑的 rGO 薄膜，這是很有前途的超級電容器電極。

資料來源：,,, of, and, 202 (2023) 186–195,